MC

1458

P

首标

器件编号

封装

MC：有封装的IC；

1500~1599；

L：陶瓷双列直插（14或16线）；

MCC：IC芯片；

（-55~125）℃军用线性

U：陶瓷封装；

MFC：低价塑封功能电路；

电路；

G：金属壳TO-5型；

MCBC：梁式引线的IC芯片；

1400~1499、3400~3499：

R：金属功率型封装TO-66型；

MCB：扁平封装的梁式引线IC；

（0~70）℃线性电路；

K：金属功率型TO-3封装；

MCCF：倒装的线性电路；

1300~1399、3300~3399：

F：陶瓷扁平封装；

MLM：与NSC线性电路

消费工业线性电路。

T：塑封TO-220型；

引线一致的电路；

P：塑封双列；

MCH：密封的混合电路；

P1：8线性塑封双列直插；

MHP：塑封的混合电路；

P2：14线塑料封双列直插；

MCM：集成存储器；

PQ：参差引线塑封双列

MMS：存储器系统。

（仅消费类器件）封装；

SOIC：小引线双列封装。

与封装标志一起的尚有：

C：表示温度或性能的符号；

A：表示改进型的符号。

MP

4136

C

Y

MPS

器件编号

分档和温度范围

D：陶瓷及陶瓷浸渍双列； R：SOIC（8 线）

首标

（用文字和

J、K、L：商用/工业用

N：塑封双列及TO-92； S：SOIC；

数字表示）

温度；

Y：14线陶瓷双列； L：LCC；

S、T、U：军用温度。

Z：8线陶瓷双列； G：PGA；

J：TO-99封装； Q：QFP；

T：TO-52封装； CHIP：芯片或小片。

P：8线塑封双列及PLCC；

K、H、M：TO-100型封装。

同时生产其它厂家相同型号的产品。

缩写字符：NECJ 译名：日本电气公司（日）

NECE 日本电气公司美国电子公司（美）

μP

D

7220

D

NEC首标

系列

器件编号

封装

A：混合元件；

A：金属壳类似TO-5型封装；

B：双极数字电路；

B：陶瓷扁平封装；

C：双极模拟电路；

C：塑封双列；

D：单极型数字电路

D：陶瓷双列；

（MOS）。

G：塑封扁平；

H：塑封单列直插；

J：塑封类似TO-92型；

M：芯片载体；

0

V：立式的双列直插封装；

L：塑料芯片载体；

K：陶瓷芯片载体；

E：陶瓷背的双列直插。

MA

B

8400

-A

-DP

系列

温度范围

器件

表示两层意义

封装

（用两位符号表示）

A：没规定范围

编号

第一层表示改进型；

（用两位符号表示）

1.数字电路用两

B：（0~70）

第二层表示封装；

第一位表示封装形式：

符号区别系列。

C：（-55~125）

C：圆壳；

C：圆壳封装；

2 .单片电路用两

D：（-25~70）

D：陶瓷双列；

D：双列直插；

符号表示。

E：（-25~85）

F：扁平封装；

E：功率双列（带散热片）；

第一符号：

F：（-40~85）

P：塑料双列；

F：扁平（两边引线）；

S：数字电路；

G：（-55~85）

Q：四列封装；

G：扁平（四边引线）；

T：模拟电路；

如果器件是在别

U：芯片。

K：菱形（TO-3系列）；

U：模拟/数字混合电路。

的温度范围，可

M：多列引线（双、三、四

第二符号：

不标，亦可标"A"

列除外）；

除"H"表示混合电路

Q：四列直插；

外，其它无规定；

R：功率四列（外散热片）；

3.微机电路用两位符号

S：单列直插；

表示。

T：三列直插。

MA：微计算机和CPU；

第二位表示封装材料：

MB：位片式处理器；

C：金属-陶瓷；

MD：存储器有关电路；

G：玻璃-陶瓷（陶瓷浸渍）；

ME：其它有关电路（接

M：金属；

口，时钟，外围控

P：塑料。

制，传感器等）。

（半字符以防与前符号混淆）

该公司同时生产与其它厂家相同型号的产品。

DAC

08

E

X

器件系列

器件

电特性等级

封装

ADC：A/D转换器；

编号

H：6线圆壳TO-78；

AMP：测量放大器；

J：8线圆壳TO-99；

BUF： 缓冲器（电压跟随器）；

K：10线圆壳TO-100；

CMP：电压比较器；

P：环氧树脂双列直插；

DAC：D/A转换器；

Q：16线陶瓷双列；

DMX：信号分离器；

R：20线陶瓷双列；

FLT：滤波器；

RC：20线芯片载体；

GAP：通用模拟信息处理器；

T：28线陶瓷双列；

JAN：M38510产品；

TC：28线芯片载体；

MAT：对管；

V：24线陶瓷双列；

MLT：乘法器；

X：18线陶瓷双列；

MUX：多路转换器；

Y：14线陶瓷双列；

OP：精密运算放大器；

Z：8线陶瓷双列；

PKD：峰值检波器；

W：40线陶瓷双列；

PM：仿制的工业规范产品；

L：10线密封扁平；

REF：电压基准；

M：14线密封扁平；

RPT：PCM线转发器；

N：24线密封扁平。

SMP：采样/保持放大器；

SLC：用户线接口电路；

SW：模拟开关；

SSS：优良的仿制提高规范产品。

该公司并入ANA公司。

LM

101A

F

系列

器件编号

封装

AD：模拟对数字；

（用3、4或5位数字符号表示）

D：玻璃/金属双列直插；

AH：模拟混合；

A：表示改进规范的；

F：玻璃/金属扁平；

AM：模拟单片；

C：表示商业用的温度范围。

H：TO-5（TO~99，TO-100，TO-46）；

CD：CMOS数字；

其中线性电路的1－、2－、3－

J：低温玻璃双列直插（黑陶瓷）；

DA：数字对模拟；

表示三种温度，分别为：

K：TO-3（钢的）；

DM：数字单片；

（-55~125）℃

KC：TO-3（铝的）；

LF：线性FET；

（-25~85）℃

N：塑封双列直插；

LH：线性混合；

（0~70）℃。

P：TO-202（D-40，耐热的）；

LM：线性单片；

S："SGS"型功率双列直插；

LP：线性低功耗；

T：TO-220型；

LMC：CMOS线性；

W：低温玻璃扁平封装（黑瓷扁平）；

LX：传感器；

Z：TO-92型；

MM：MOS单片；

E：陶瓷芯片载体；

TBA：线性单片；

Q：塑料芯片载体；

NMC：MOS存储器。

M：小引线封装；

L：陶瓷芯片载体。

该公司同时生产其它厂家相同型号的产品。

缩写字符：PRSC 译名：特性半导体有限公司

P

74

FCT

XXX

X

X

首标

温度

产品系列

器件

封装

温度范围

P：performance；

74：（0-70）℃；

编号

P：塑料双列；

C：（0-70）℃；

P4C：静态存储器；

54：（-55~125）

J：J型小引线塑料

M：（-55~125）℃；

9：适于特殊SRAM。

℃。

双列（SOJ）；

MB：883C的B级。

D：陶瓷双列；

C：侧面铜焊双列；

L：芯片载体；

S：小引线塑料双

列（SOIC）；

DW：600mil陶瓷

双列。

QS

8XXX

XXX

XX

X

首标

器件编号

速度

封装

加工

8XXX：SRAM；

（存取时间）

P：塑料双列；

没标：标准工业用

7XXX：FIFO。

D：陶瓷双列；

（0-70）℃；

L：陶瓷芯片载体；

B：883的

SO：小引线封装双列；

（-55~125）℃；

Z：塑料单列(双线)(ZIP)；

M：工业用

Q：四面引线封装(QSOP)；

（-55~125）℃。

V：(SOJ)J型小引线双列。

QS

XX

FCT

XX

XX

X

首标

温度

系列

器件

封装

加工

54：（-55~

FCT：快

编号

P：塑料双列；

没标：标准工业用

125）℃；

捷CMOS；

D：陶瓷双列；

（0~70）℃；

74：（0~70）℃。

QST：快

L：陶瓷芯片载体；

B：883的

速开关。

SO：小引线双列封装；

（-55~125）℃；

Z：塑料ZIP；

M：工业用

Q：QSOP。

（-55~125）℃。

Z

8400

B

P

S

首标

器件编号

速度

封装

温度范围

空白：

C：陶瓷；

E：（-40~85）℃；

2.5MHz；

D：陶瓷浸渍；

M：（-55~125）℃

A：4..0MHz；

P：塑料；

S：（0~70）℃。

B：6.0MHz；

Q：陶瓷四列；

H：8.0MHz；

R：陶瓷背的。

L：低功耗的。

缩写字符：RCA 译名：美国无线电公司（现为GE－RCA公司）

CD

4070A

D

类型

器件编号

封装

CA：线性电路；

A：改型，代替原型；

D：陶瓷双列（多层陶瓷）；

CD：CMOS数字电路；

B：改型，代替A或

E：塑料双列；

COM：CMOS LSI；

原型；

EM：变形的塑料双列（有散热板）；

COP：CMOS LSI；

C：改型；

F：陶瓷双列，烧接密封；

CMM：CMOS LSI；

UB：不带缓冲。

H：芯片；

MWS：CMOS LSI；

J：三层陶瓷芯片载体；

LM：线性电路；

K：陶瓷扁平封装；

PA：门阵。

L：单层陶瓷芯片载体；

M：TO-220封装（有散热板）；

P：有散热板的塑料双列封装；

Q：四列塑料封装；

QM：变形的四列封装

S：TO-5封装（双列型）；

T：TO-5封装（标准型）；

V1：TO-5封装（射线型引线）；

W：参差四列塑料封装。

该公司并入Harris公司。

SG

108

A

T

SGL

器件编号

说明

封装

首标

A：改进性能；

F：扁平封装；

C：缩小温度范围。

J：陶瓷双列（14、16、18线）；

K：菱形TO-3；

L：芯片载体；

M：8线小型塑料双列；

N：塑料双列（14、16线）；

P：TO-220封装；

R：TO-66（2线、9线金属壳）；

T：TO-型（5、39、96、99、100、101型）；

W：16线带散热片的陶瓷双列；

Y：8线陶瓷双列；

S：大于15W的功率封装。

缩写字符：SGSI 译名：意大利国家半导体公司

TDA

1200

XX

(X/X)

首标

器件编号

封装及封装材料

质量等级

首位字母表示：

封装：

T：模拟电路；

单字母表示：

U：模拟/数字混合电路；

C：圆壳；

第二位字母表示：

D：双列直插；

没规定含义。

E：功率双列；

双字母表示：

F：扁平封装。

FA~FZ、

两字母表示：

GA~GZ：数字电路，系列有别。

首位（表示封装）：

单字母表示：

C：圆壳；

S：单片数字电路。

D：双列直插；

另外的首标含义：

E：功率双列（带散热板）；

H：高电平逻辑；

F：扁平封装；

HB、HC：CMOSIC；

G：四边引线扁平封装；

L、LS：线性电路；

K：菱形（TO-3型）；

M：MOS电路；

M：多列直插；

TAA、TBA、TCA、TDA：

Q：四列直插；

线性控制电路。

R：功率四列（带散热板）；

第二位字母表示温度范围：

S：单列直插；

A：没规定范围，或非下列温度范围；

T：三列直插。

B：（0~70）℃；

第二位（表示封装材料）；

C：（-55~125）℃；

C：金属-陶瓷；

D：（-25~70）℃；

G：玻璃-陶瓷（双列）；

E：（-25~85）℃；

M：金属；

F：（-40~85）℃；

P：塑料。

G：（-55~85）℃。

    该公司与法国THOMSON公司联合组成SGS-THOMSON公司，产品型号有所变化。除采用ST首标外，还生产与别的厂家型号完全相同的产品。

LA

1230

首标

器件编号

LA：双极线性电路；

LB：双极数字电路；

LC：CMOS电路；

LE：MNMOS电路；

LM：PMOS、NMOS电路；

STK：厚腊电路；

LD：薄膜电路。